时间：2025/9/11 16:33:42
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K3357-MT 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等电子电路中。该器件采用小型表面贴装封装，适合高密度电路设计，具备良好的导通性能和较低的开关损耗。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：100mA（连续）
最大漏-源电压（VDS）：50V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约 3Ω（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：200mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-23 或类似小型贴片封装
K3357-MT 具备出色的导通特性和较低的导通电阻，有助于降低系统功耗并提高效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 至 20V 的范围内稳定工作，适合多种驱动电路设计。此外，其 SOT-23 小型封装形式使其适用于空间受限的高密度 PCB 布局。该 MOSFET具有较高的热稳定性与可靠性，适用于工业控制、消费电子和通信设备等应用场景。
在开关性能方面，K3357-MT 具有较快的开关速度，能够满足中高频开关电路的需求。同时，其较低的输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体系统效率。K3357-MT 还具备良好的抗静电能力和较高的耐用性，能够在较为恶劣的环境下稳定运行。
K3357-MT 主要用于低功率开关电路，如电池供电设备中的负载开关、LED 驱动控制、小型电机控制、电源管理系统以及各种低功耗 DC-DC 转换器中。由于其体积小、性能稳定，也被广泛用于便携式电子产品、智能穿戴设备和传感器控制模块中。
K3357, 2N3904, 2SK302, 2SK2545
