K3278 时间：2025/8/27 20:02:59 阅读：19

K3278 是由东芝（Toshiba）生产的一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。该器件采用N沟道结构，具备低导通电阻和高开关速度的特性，适合用于要求高效率和高性能的电源系统。

参数

类型：N沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（典型值）
　　功耗（Pd）：160W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：TO-220

特性

K3278 MOSFET具有多个优异的电气特性，使其在高效率电源设计中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流下损耗最小，从而提高整体系统效率。其次，该器件支持高达100A的连续漏极电流，适合大功率应用。此外，K3278的高栅极电压耐受能力（±20V）增强了其在高频开关环境中的稳定性和可靠性。其TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。该MOSFET还具备快速开关特性，有助于降低开关损耗并提升响应速度。
　　K3278的热稳定性优异，能够在恶劣的工作条件下保持稳定的性能。这使其成为各种工业电源、汽车电子系统和高功率DC-DC转换器的理想选择。此外，其低输入电容和输出电容也有助于减少高频噪声，提高系统稳定性。

应用

K3278 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统等。由于其高电流承载能力和低导通电阻，K3278特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。例如，在电动车和工业自动化设备中，该MOSFET常被用于电源分配系统和电机驱动电路中，以实现高效的能量转换和控制。