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K3278 发布时间 时间:2025/8/27 20:02:59 查看 阅读:11

K3278 是由东芝(Toshiba)生产的一款功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等应用。该器件采用N沟道结构,具备低导通电阻和高开关速度的特性,适合用于要求高效率和高性能的电源系统。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):100A
  导通电阻(Rds(on)):5.3mΩ(典型值)
  功耗(Pd):160W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:TO-220

特性

K3278 MOSFET具有多个优异的电气特性,使其在高效率电源设计中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))确保在高电流下损耗最小,从而提高整体系统效率。其次,该器件支持高达100A的连续漏极电流,适合大功率应用。此外,K3278的高栅极电压耐受能力(±20V)增强了其在高频开关环境中的稳定性和可靠性。其TO-220封装提供了良好的散热性能,适用于需要高功率密度的设计。该MOSFET还具备快速开关特性,有助于降低开关损耗并提升响应速度。
  K3278的热稳定性优异,能够在恶劣的工作条件下保持稳定的性能。这使其成为各种工业电源、汽车电子系统和高功率DC-DC转换器的理想选择。此外,其低输入电容和输出电容也有助于减少高频噪声,提高系统稳定性。

应用

K3278 MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、电池管理系统(BMS)以及汽车电子系统等。由于其高电流承载能力和低导通电阻,K3278特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。例如,在电动车和工业自动化设备中,该MOSFET常被用于电源分配系统和电机驱动电路中,以实现高效的能量转换和控制。

替代型号

Si9410BDY-T1-GE3, IRF1404, AUIRF1404, FDS4410, K2545

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