K3133 时间：2025/9/7 9:42:43 阅读：14

K3133 是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及各类功率控制电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和较高的效率，适用于中高功率应用。K3133通常采用TO-220或TO-252（DPAK）封装形式，便于散热和安装。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：300V
　　最大栅源电压（Vgs）：±30V
　　最大连续漏极电流（Id）：5A
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.5Ω（典型值）
　　功率耗散（Ptot）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-252

特性

K3133 MOSFET具备多项优异的电气和热性能。其低导通电阻特性有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。该器件具有高击穿电压（300V），能够在较高的电压环境下稳定工作，适用于多种开关电源拓扑结构，如反激式、正激式和半桥式电路等。K3133的栅极驱动电压范围宽，可在标准的10V至15V栅极驱动电压下工作，确保快速开关，降低开关损耗。
　　此外，K3133具有良好的热稳定性，能够承受较高的工作温度，确保在高功率密度应用中的可靠性。其封装形式（如TO-220）具有良好的散热性能，便于安装在散热片上。该器件还具备较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供更好的保护。K3133适用于多种工业控制、电源适配器、LED驱动电源和家电控制电路。

应用

K3133 MOSFET主要用于中高功率开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、电池充电器、工业自动化设备以及各类电源管理系统。其高耐压特性使其适用于AC-DC转换电路中的主开关元件，尤其在反激式电源设计中表现优异。此外，K3133也常见于家电产品中的功率控制模块，如电磁炉、电饭煲和变频空调等。