K2873-01 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效功率转换和控制的电子设备中。该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高耐压、高频工作能力等特性,适合应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等场景。K2873-01 采用TO-220封装,具备良好的散热性能,适用于多种工业和消费类电子设备。
类型:N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds):500V
栅极-源极电压(Vgs):±30V
连续漏极电流(Id):7A
脉冲漏极电流(Idm):28A
导通电阻(Rds(on)):约1.0Ω(典型值)
功率耗散(Pd):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220
K2873-01 的设计注重高效能和可靠性。首先,其低导通电阻(Rds(on))可显著降低在导通状态下的功率损耗,提高系统效率,适用于高频率开关应用。其次,该MOSFET具备高耐压能力(Vds=500V),能够在高压环境下稳定工作,适用于各种电源转换系统。此外,K2873-01 的栅极驱动电压范围较宽(±30V),使其兼容多种驱动电路设计,增强了灵活性。TO-220封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和焊接,适合工业级应用。最后,该器件具备较高的热稳定性和抗过载能力,确保在严苛工作条件下的长期可靠性。
K2873-01 的高频特性使其适用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、照明设备等。同时,其高耐压和低导通电阻的组合使其在功率因数校正(PFC)电路中表现出色。在电机控制方面,K2873-01 可用于驱动小型电机或作为负载开关使用。由于其优异的电气性能和稳定的封装结构,K2873-01 被广泛应用于家电、工业设备、自动化控制系统等领域。
K2873-01 主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制电路、负载开关、照明设备、功率因数校正(PFC)模块以及各类工业自动化控制系统中。由于其高耐压和低导通电阻的特性,它特别适合需要高效功率管理的场合。
K2645, K2465, 2SK2873