K2850 是一种高电压、高电流的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高功率应用场景。这款MOSFET具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能,适用于需要高效能和高可靠性的电子系统中。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):500V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):17A(连续)
导通电阻(Rds(on)):0.27Ω(最大)
功耗(Pd):150W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220AB
K2850 MOSFET具备多项显著特性,包括高耐压能力(漏源电压可达500V),能够承受高电压的冲击,适用于高压电路应用。其导通电阻较低(最大0.27Ω),有效减少了导通损耗,提高了系统的效率。同时,该器件支持高达17A的连续漏极电流,可以用于高功率负载的应用场景。
K2850的封装形式为TO-220AB,这种封装设计具备良好的散热性能,能够在高功率运行时有效降低温度,提高器件的可靠性。此外,该MOSFET的栅源电压范围为±30V,使其在控制电路设计上更加灵活,并能够适应不同的驱动电路配置。
由于其高可靠性和优异的热稳定性,K2850在恶劣环境条件下也能稳定运行,适用于工业控制、电源管理、电机驱动以及太阳能逆变器等要求较高的应用场景。
K2850广泛应用于多个高功率电子系统中,例如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机控制器以及电池管理系统等。由于其高耐压和低导通电阻的特点,它在电源转换系统中能够有效减少能量损耗,提高系统效率。
此外,该MOSFET也常用于LED驱动电源、家用电器的功率控制模块以及工业自动化设备中的高电压开关电路。在太阳能系统中,K2850可用于光伏逆变器中的功率开关,确保系统在高输入电压下依然能够稳定运行。
由于其良好的热性能和高可靠性,K2850也适用于需要长时间连续运行的设备,例如不间断电源(UPS)和电动工具驱动电路。
IRF840, IRFBC30, 2SK2850