类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：24A
　　脉冲漏极电流（Idm）：96A
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：5.3mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@Vgs=4.5V：6.8mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：1220pF @ Vds=15V
　　反向恢复时间（trr）：17ns
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　封装形式：PowerPAK? SO-8

K2827-01的核心优势之一是其采用Vishay专有的TrenchFET?技术，这种先进的制造工艺通过优化沟道结构显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。与传统平面MOSFET相比，TrenchFET?技术实现了更高的单位面积电流密度，使得在相同封装尺寸下可以获得更低的Rds(on)，这对于追求小型化和高能效的设计至关重要。此外，该器件具有非常低的栅极电荷（Qg），典型值仅为21nC（@Vgs=10V），这意味着驱动电路所需的能量更少，有助于提升系统的动态响应速度，并减少驱动IC的负担。同时，其米勒电荷（Qgd）也控制在较低水平（约4.7nC），有效抑制了在高速开关过程中可能出现的寄生导通现象，提高了开关稳定性。
　　另一个关键特性是K2827-01出色的热性能表现。它采用PowerPAK? SO-8封装，该封装去除了引线框架并使用铜夹连接技术，大幅增强了从芯片到PCB的热传导路径，提升了散热效率。这不仅允许器件在较高环境温度下持续运行，还延长了使用寿命。此外，该封装符合RoHS标准且无卤素，满足现代电子产品的环保要求。K2827-01还具备优良的雪崩耐量和抗瞬态过压能力，在突发故障或负载突变时仍能保持稳定工作。内置的体二极管具有快速反向恢复特性（trr=17ns），适用于同步整流拓扑结构，进一步提升了转换效率。综合这些特性，K2827-01成为高性能电源系统中理想的开关元件选择。

K2827-01因其低导通电阻、高电流能力和优异的开关特性，被广泛应用于多种电源管理场景。一个主要应用领域是同步降压转换器（Buck Converter），尤其是在多相VRM（Voltage Regulator Module）设计中作为下管（synchronous rectifier）。在此类应用中，MOSFET需要频繁地进行高速开关操作，而K2827-01的低Qg和Qgd特性可显著降低开关损耗，提高转换效率。同时，其低Rds(on)减少了导通期间的I2R损耗，有助于实现更高的功率密度和更低的温升，这对笔记本电脑、台式机主板和服务器电源模块尤为重要。
　　此外，该器件也常用于负载开关电路中，例如为处理器、内存模块或其他外设供电的启停控制。在这种应用中，K2827-01能够快速响应使能信号，实现精确的电源通断控制，防止浪涌电流冲击下游电路。其高电流承载能力和良好的热性能确保即使在长时间满负荷运行下也能保持可靠工作。在电池供电设备如移动终端和平板电脑中，K2827-01可用于电池充放电管理电路或电源路径切换，以优化能效和延长续航时间。另外，它还可用于电机驱动、热插拔控制器和DC-DC POL（Point-of-Load）转换器等高要求工业及通信电源系统中。凭借其小尺寸封装和高性能指标，K2827-01特别适合空间受限但对效率和可靠性有严苛要求的应用环境。

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　　 "SiSS051DN-T1-GE3",
　　 "IRLHS3442",
　　 "AO4403",
　　 "FDS6680A",
　　 "NVMFS5C673NL"
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