K2729 时间：2025/9/7 12:05:34 阅读：12

K2729是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高功率场合。该器件具有较高的耐压能力与较大的电流承载能力，适合用于需要高效率和高性能的电子系统中。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：800V
　　最大漏极电流（ID）：7.0A（连续）
　　最大栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）：约1.0Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220AB或类似功率封装

特性

K2729具备低导通电阻和高耐压特性，使其在高压和中等电流的应用中表现出色。该MOSFET采用了先进的平面技术，提供了良好的热稳定性和高可靠性。此外，其快速开关能力减少了开关损耗，提高了整体系统效率。由于其高栅极绝缘能力，K2729可以承受较高的瞬态电压，适用于各种恶劣工作环境。器件的封装形式便于安装散热片，有助于提高散热效率，延长使用寿命。
　　在电气性能方面，K2729的导通电阻较低，有助于降低导通损耗，提高能效。同时，其最大漏极电流为7A，足以应对多数中功率开关应用的需求。此外，K2729的栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，简化了设计复杂度。由于其具备良好的热阻特性，K2729在高温环境下仍能稳定工作，适用于工业控制、电源适配器、LED驱动器等应用场景。