K2695-01 是一款由 KEC(韩国电子部件公司)制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件主要用于需要高效率和高功率密度的应用,例如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关。K2695-01 具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压特性以及优异的热稳定性,使其能够在高电流条件下稳定工作。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):90A
最大漏-源电压(VDS):60V
最大栅-源电压(VGS):±20V
导通电阻(Rds(on)):约 4.5mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-263(表面贴装)或 TO-220(通孔)
K2695-01 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的额定漏极电流高达 90A,适用于大功率应用场景。此外,它具备 60V 的漏-源击穿电压,能够承受较高的电压应力,提高了器件的可靠性。
该 MOSFET 还具有良好的热性能,能够在高温环境下稳定运行,适用于高功率密度的设计。其栅极驱动电压范围宽广,通常在 4.5V 至 10V 之间即可实现完全导通,兼容多种驱动电路设计。K2695-01 采用 TO-263 或 TO-220 封装形式,便于散热和安装,适合在工业控制、电源供应器和电动工具等应用中使用。
另外,该器件具备快速开关特性,能够降低开关损耗,提高整体系统效率。由于其高可靠性和稳健的电气性能,K2695-01 成为许多高功率应用中的首选 MOSFET。
K2695-01 主要应用于高功率 DC-DC 转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、电源开关控制、电动工具和工业自动化设备等领域。由于其高电流承载能力和低导通电阻,该 MOSFET 特别适合用于需要高效能和高稳定性的电源管理系统。
IRF1404, Si4410DY, FDS6680, AO4404