K2695-01 时间：2025/8/9 10:48:02 阅读：29

K2695-01 是一款由 KEC（韩国电子部件公司）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件主要用于需要高效率和高功率密度的应用，例如电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和负载开关。K2695-01 具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压特性以及优异的热稳定性，使其能够在高电流条件下稳定工作。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：90A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约 4.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-263（表面贴装）或 TO-220（通孔）

特性

K2695-01 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的额定漏极电流高达 90A，适用于大功率应用场景。此外，它具备 60V 的漏-源击穿电压，能够承受较高的电压应力，提高了器件的可靠性。
　　该 MOSFET 还具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行，适用于高功率密度的设计。其栅极驱动电压范围宽广，通常在 4.5V 至 10V 之间即可实现完全导通，兼容多种驱动电路设计。K2695-01 采用 TO-263 或 TO-220 封装形式，便于散热和安装，适合在工业控制、电源供应器和电动工具等应用中使用。
　　另外，该器件具备快速开关特性，能够降低开关损耗，提高整体系统效率。由于其高可靠性和稳健的电气性能，K2695-01 成为许多高功率应用中的首选 MOSFET。