时间：2025/8/9 6:29:08
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K2691 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，广泛用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。该器件具有低导通电阻、高电流容量以及优良的热稳定性，适用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
最大漏极电流（Id）：17A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：约28mΩ @ Vgs=10V
功率耗散（Pd）：62.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220
K2691 MOSFET 的主要优势在于其出色的导通性能和高可靠性。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，实现了极低的导通电阻，从而减少了功率损耗并提高了系统效率。其封装形式（TO-220）具备良好的散热性能，能够在高电流条件下保持稳定工作。此外，K2691具有较高的栅极绝缘强度，支持高达±20V的栅源电压，从而提供了更大的设计灵活性和更高的抗干扰能力。
K2691还具有优异的热稳定性，在高负载条件下不易发生热失控，从而提高了器件的使用寿命和系统的稳定性。由于其出色的电气特性和坚固的封装设计，K2691适用于各种苛刻的工作环境，包括工业控制、汽车电子和消费类电源设备。
此外，该MOSFET还具有快速开关能力，能够在高频应用中表现出色，例如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。这种特性有助于减小外部滤波元件的尺寸，从而实现更紧凑的电路设计。
K2691 MOSFET适用于多种功率电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统、负载开关、照明控制系统以及工业自动化设备。由于其高效率和高稳定性，该器件也常用于汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统以及车载逆变器。
K2647, IRFZ44N, FDP6030L, TK26E08K3
