型号：K2676
　　封装类型：TO-247
　　极性：N沟道
　　漏源击穿电压（BVDSS）：500V
　　连续漏极电流（ID）：20A
　　脉冲漏极电流（IDM）：80A
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：3V ~ 5V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（典型值）
　　最大功耗（PD）：200W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　输入电容（Ciss）：1800pF
　　输出电容（Coss）：500pF
　　反向传输电容（Crss）：100pF
　　栅极电荷（Qg）：70nC

K2676具备优异的电气性能和热稳定性，其核心特性之一是高漏源击穿电压，达到500V，使其适用于高压电源系统，如开关电源和逆变器，在电网波动或瞬态过压情况下仍能保持安全运行。该器件的连续漏极电流可达20A，脉冲电流高达80A，表明其具备强大的电流承载能力，适合驱动大功率负载，例如电机、加热元件或变压器初级绕组。其导通电阻典型值为0.45Ω，在同类高压MOSFET中处于较优水平，有助于降低导通损耗，提升系统能效。此外，K2676采用了优化的芯片结构设计，减少了寄生参数的影响，提高了开关速度，从而降低了开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关应用。
　　该器件具有良好的热性能，TO-247封装提供了较大的散热面积和较低的热阻，使得热量能够高效地从芯片传递到外部散热器，从而延长器件寿命并提高系统可靠性。K2676的栅极阈值电压范围为3V至5V，兼容大多数标准驱动电路，包括光耦隔离驱动、专用MOSFET驱动IC等，便于系统集成。其输入电容和反向传输电容较小，有助于减少驱动电路的负担，降低EMI干扰。此外，K2676具备一定的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载关断时吸收一定的能量，提升了系统的鲁棒性。在制造工艺方面，采用平面硅栅技术，保证了器件的一致性和可靠性，适合批量生产应用。总体而言，K2676在高压、大电流、高频率应用场景下表现出色，是工业级电源和电力电子系统中常用的功率开关器件。

K2676广泛应用于各类需要高压大功率开关功能的电子设备中。典型应用之一是开关模式电源（SMPS），特别是在反激式、正激式或半桥拓扑结构中作为主开关管使用，能够高效地实现AC-DC或DC-DC电压转换。在逆变器系统中，如太阳能并网逆变器、UPS不间断电源和车载逆变器，K2676常用于H桥或推挽电路中，负责将直流电转换为交流电输出，其高耐压和大电流能力确保了系统在高负载下的稳定运行。此外，该器件也适用于电机驱动电路，可用于控制直流电机或步进电机的启停与调速，尤其在工业自动化设备中表现良好。
　　在感应加热设备中，K2676作为谐振变换器的核心开关元件，参与LC谐振回路的高频切换，产生交变磁场以实现金属材料的非接触加热，常见于电磁炉、金属熔炼和热处理设备。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高加热效率并减少温升。K2676还可用于高功率LED驱动电源、电池充电器、电焊机电源模块等场合，满足对效率和可靠性的严苛要求。在工业控制领域，该器件可用于固态继电器（SSR）或功率调节模块中，替代传统机械继电器，提供更长的使用寿命和更高的响应速度。此外，由于其良好的温度稳定性和抗干扰能力，K2676也适用于户外或高温环境下的电力设备。总之，凡涉及高压、大电流、高效率开关控制的应用场景，K2676均是一个可靠且经济的选择。

IRFP460
　　STP20NM50FD
　　FQA20N50