K2639-01 时间：2025/8/9 7:49:04 阅读：15

K2639-01 是一款由日本电气公司（NEC）开发的功率晶体管，属于 N 沟道 MOSFET 类型，广泛应用于高功率放大器、开关电源、DC-DC 转换器以及工业控制电路中。该器件以其高耐压、大电流承载能力和低导通电阻而著称，适用于需要高效能和高稳定性的电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：15A（连续）
　　栅极电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
　　功率耗散（Ptot）：150W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220AB

特性

K2639-01 具有出色的电气性能和热稳定性，其主要特点之一是高耐压能力，漏源电压可达 500V，这使得它在高压应用中表现出色。此外，该 MOSFET 的导通电阻较低，最大值为 0.35Ω，能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。该器件的漏极电流为 15A，具备较强的电流承载能力，适合用于大功率输出电路。K2639-01 的封装形式为 TO-220AB，便于散热和安装，适用于多种电路板布局。
　　此外，该晶体管具备良好的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极电压范围为 ±30V，具有较高的输入阻抗，使得控制电路设计更加灵活。K2639-01 的功率耗散为 150W，在高负载工作状态下依然能保持较好的热性能，适合长时间运行的工业设备和电源系统。工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，确保其在各种环境条件下都能可靠工作。

应用

K2639-01 广泛应用于各类电力电子设备中，尤其是在需要高效能功率控制的场合。常见的应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、照明镇流器、逆变器以及工业自动化控制系统。在开关电源中，该 MOSFET 可用于主开关元件，实现高效的能量转换。在电机驱动器中，K2639-01 能够承受较大的负载电流，提供稳定的功率输出。此外，它也适用于高频逆变器和太阳能逆变系统，为清洁能源设备提供可靠的功率支持。由于其优异的热性能和电气特性，K2639-01 也常被用于测试设备、电子负载和工业加热设备中。