时间：2025/8/9 6:31:53
阅读：23
K2638 TK10A50 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高电压和高电流的应用场景，如电源开关、DC-DC转换器以及马达驱动电路等。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提供了优异的导通性能和热稳定性。其高耐压特性使其适用于500V以下的电源系统，能够有效降低系统损耗并提高效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：500V
最大栅源电压（Vgs）：±30V
最大漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：0.65Ω（典型值）
功耗（Pd）：60W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
K2638 TK10A50 MOSFET具备多项优异特性，包括高耐压、低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。首先，其漏源耐压达到500V，能够满足大多数高压电源应用的需求。其次，导通电阻仅为0.65Ω，显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。此外，该器件的开关速度较快，适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用，有助于减小外围电路的体积并提高系统响应速度。K2638 TK10A50的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够承受较高的功耗。此外，该MOSFET具备较高的可靠性和耐用性，能够在恶劣的工业环境中稳定工作，适合长期运行的设备使用。最后，其栅极驱动电压范围较宽，可在10V至20V之间工作，适用于多种驱动电路设计。
K2638 TK10A50 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、马达驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）、LED驱动电源以及工业自动化设备中的高压开关控制电路。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通损耗，该器件特别适合用于需要高效率和高稳定性的电源管理场合。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器或电动车电源管理系统中，K2638 TK10A50也具备一定的应用价值。
TK10A60D, IRF840, FQA10N50C, 2SK2647
