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K2638 TK10A50 发布时间 时间:2025/8/9 6:31:53 查看 阅读:17

K2638 TK10A50 是一款由东芝(Toshiba)生产的N沟道功率MOSFET,主要用于高电压和高电流的应用场景,如电源开关、DC-DC转换器以及马达驱动电路等。该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,提供了优异的导通性能和热稳定性。其高耐压特性使其适用于500V以下的电源系统,能够有效降低系统损耗并提高效率。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏源电压(Vds):500V
  最大栅源电压(Vgs):±30V
  最大漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):0.65Ω(典型值)
  功耗(Pd):60W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-220

特性

K2638 TK10A50 MOSFET具备多项优异特性,包括高耐压、低导通电阻、高开关速度以及良好的热稳定性。首先,其漏源耐压达到500V,能够满足大多数高压电源应用的需求。其次,导通电阻仅为0.65Ω,显著降低了导通损耗,提高了电源转换效率。此外,该器件的开关速度较快,适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用,有助于减小外围电路的体积并提高系统响应速度。K2638 TK10A50的封装形式为TO-220,具有良好的散热性能,能够承受较高的功耗。此外,该MOSFET具备较高的可靠性和耐用性,能够在恶劣的工业环境中稳定工作,适合长期运行的设备使用。最后,其栅极驱动电压范围较宽,可在10V至20V之间工作,适用于多种驱动电路设计。

应用

K2638 TK10A50 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、马达驱动器、逆变器、电池管理系统(BMS)、LED驱动电源以及工业自动化设备中的高压开关控制电路。由于其具备较高的耐压能力和较低的导通损耗,该器件特别适合用于需要高效率和高稳定性的电源管理场合。此外,在新能源领域,如太阳能逆变器或电动车电源管理系统中,K2638 TK10A50也具备一定的应用价值。

替代型号

TK10A60D, IRF840, FQA10N50C, 2SK2647

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