K2628是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET),常用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、逆变器等功率电子设备中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于中高功率应用场景。K2628通常采用TO-220或TO-252等封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):250V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):8A(连续)
导通电阻(Rds(on)):约0.45Ω(典型值)
功耗(Pd):50W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装形式:TO-220、TO-252等
K2628具备多项优良的电气和热性能。其高耐压特性(250V Vds)使其适用于多种中高功率应用。较低的导通电阻(Rds(on))可有效降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有快速开关能力,适用于高频开关电路。K2628的栅极驱动电压范围较宽,可在多种驱动条件下稳定工作。其热稳定性良好,能够在较高温度环境下持续运行,适合工业级应用需求。
K2628广泛应用于多种功率电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、电机驱动器、电池充电器、LED驱动电源以及各种高电压控制电路。在工业自动化、电源管理系统、通信设备、消费电子产品和汽车电子等领域均有广泛应用。
2SK2628, 2SK2640, IRF840, IRF740