时间：2025/8/7 15:01:35
阅读：30
K2563是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于开关电源、DC-DC转换器以及电机控制等高功率应用中。该器件采用了先进的平面硅栅工艺制造，具备优良的导通电阻和开关特性，适用于中高功率水平的电子系统。K2563具有高耐压、大电流能力和良好的热稳定性，使其成为工业控制、电源设备和消费类电子产品中常用的功率开关器件。
型号：K2563
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电压（VDSS）：600V
最大漏极电流（ID）：9A（25°C）
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS = 10V
栅极电压（VGS）：±30V
最大功耗（PD）：75W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
K2563 MOSFET具备多项优异的电气和物理特性。首先，其高漏极击穿电压（600V）使其适用于高压电源系统，例如开关电源（SMPS）和AC-DC转换器。其次，该器件的最大漏极电流为9A，在高温环境下仍能保持良好的导通性能，适合高负载条件下的应用。
在导通性能方面，K2563的导通电阻（RDS(on)）典型值为0.45Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统的整体效率。此外，其栅极电压容限为±30V，具有较强的抗过压能力，避免因驱动电压波动而损坏器件。
K2563的热性能同样出色，其最大功耗为75W，结合TO-220封装良好的散热性能，可在高温工作环境下稳定运行。器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，适应性强，适用于各种工业和消费类电子应用。
另外，K2563的开关特性优异，具有快速导通和关断能力，适用于高频开关电路。其栅极电荷（Qg）较低，有助于降低驱动损耗，提高开关效率，减少电磁干扰（EMI）。
从可靠性角度而言，K2563采用了东芝先进的硅栅工艺技术，确保了器件在长时间运行下的稳定性和耐用性。它在高温和高湿度环境下仍能维持良好的性能，适合用于要求较高的工业控制系统。
K2563主要应用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、LED照明电源、充电器和适配器等。在开关电源中，K2563作为主功率开关器件，负责高频开关操作，实现高效率的能量转换。在DC-DC转换器中，它用于升压或降压变换，满足不同电压等级的供电需求。
此外，K2563还可用于电机控制电路，作为H桥结构中的开关元件，实现对直流电机的速度和方向控制。在LED照明系统中，该MOSFET常用于恒流驱动电路，确保LED光源的稳定亮度和长寿命。
由于其高耐压和大电流能力，K2563也适用于工业自动化设备中的电源模块和控制电路。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）和变频器中，K2563用于电源转换和负载开关控制，确保系统在复杂环境下的稳定运行。
最后，在消费类电子产品中，如笔记本电脑适配器、家用电器电源模块等，K2563也常被用作主开关器件，提供高效的电源管理解决方案。
K2645, K2143, IRF840, 2SK2568
