类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　漏极电流（Id）：17A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.12Ω（最大）
　　功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247、TO-220等

K2524 MOSFET具有多项显著的技术特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，其高漏源电压（200V）使其能够承受较高的电压应力，适用于多种高压电源设计。其次，K2524的导通电阻较低（最大0.12Ω），有助于减少导通损耗，提高整体效率。这在高频开关电源或DC-DC转换器中尤为重要，因为低导通电阻可以有效降低功率损耗并减少发热。
　　此外，K2524的漏极电流额定值为17A，在高负载条件下仍能保持良好的性能。其高功率耗散能力（150W）允许在不使用复杂散热装置的情况下处理较大的功率负载，从而简化系统设计并降低成本。K2524还具备良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内（-55°C至+150°C）稳定运行，适用于各种严苛的工业环境。
　　该器件的封装形式包括TO-247和TO-220，便于安装和散热管理。TO-247封装适用于高功率应用，而TO-220则适合中等功率需求的场合。这些封装形式均具备良好的机械强度和电气绝缘性能，确保器件在长时间运行中的可靠性。

K2524 MOSFET广泛应用于多种电力电子系统中。首先，在开关电源（SMPS）中，K2524用于主开关元件，其高压和低导通电阻特性有助于提高电源效率并减少发热。其次，在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，提供高效的电压转换能力。
　　此外，K2524也常用于电机驱动和逆变器应用，如电动工具、电动车控制器和工业自动化设备。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在高负载条件下仍能保持稳定运行。在LED驱动电源中，K2524可用于恒流控制电路，确保LED光源的稳定亮度和长寿命。
　　工业控制系统的功率开关、电池管理系统（BMS）以及光伏逆变器等应用也常采用K2524。其优异的电气性能和可靠性使其成为许多高功率密度设计的理想选择。

K2645, IRF840, IRFP460, FDPF4N250