类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：200V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：17A（最大）
　　导通电阻（RDS(on)）：0.115Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220
　　阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　输入电容（Ciss）：900pF @ VDS=25V

K2422 MOSFET具有多项优异的电气特性，首先其高漏源击穿电压（200V）使其适用于中高功率的开关电源设计。其次，其最大漏极电流可达17A，能够处理较高的负载电流，适用于高效率的功率转换系统。导通电阻RDS(on)在VGS=10V时仅为0.115Ω，有助于降低导通损耗，提高整体效率。
　　K2422采用了先进的沟槽式MOSFET技术，提升了开关速度并减少了开关损耗，适合高频应用。其TO-220封装不仅便于安装，也提供了良好的热管理能力，确保器件在高功耗环境下仍能稳定工作。
　　该器件还具有良好的热稳定性和短路耐受能力，增强了系统在异常工作条件下的可靠性。此外，K2422的栅极驱动电压范围较宽（±30V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计灵活性。

K2422 MOSFET主要应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、逆变器以及工业自动化设备中的功率控制模块。
　　由于其高耐压和大电流能力，K2422非常适合用于需要高效率和高可靠性的电源系统中。例如，在电源适配器或LED驱动器中作为主开关器件，在电机驱动器中用于控制电机的启停和转速，在电池管理系统中用作充放电控制开关等。
　　此外，K2422也常用于消费类电子产品如电视、音响设备的电源管理电路，以及工业设备中的继电器替代应用，以实现更小的体积和更高的响应速度。

2SK2422、2SK2423、IRFZ44N、IRF540N