K238RFB025 时间：2025/5/12 21:32:30 阅读：5

K238RFB025 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特点，能够满足高效能功率转换应用的需求。
　　这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，能够在高频条件下实现高效的功率传输。其封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，便于散热设计，同时支持表面贴装或插件安装。

参数

类型：N沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压 Vds：60V
　　最大栅源电压 Vgs：±20V
　　连续漏极电流 Id：25A
　　导通电阻 Rds(on)：2.5mΩ
　　栅极电荷 Qg：45nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

K238RFB025 具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻 (2.5mΩ)，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
　　2. 快速开关能力，支持高频操作，适合现代高效功率转换应用。
　　3. 高额定电流 (25A)，可满足大功率应用场景需求。
　　4. 优异的热稳定性，在高温环境下仍能保持良好的性能。
　　5. 小巧的封装设计，易于集成到紧凑型电路中。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。

应用

K238RFB025 可用于多种功率电子领域，包括但不限于以下应用：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或其他类型的电机。
　　3. 逆变器模块，适用于太阳能逆变器和其他能量转换设备。
　　4. 过流保护和负载切换。
　　5. 各种工业自动化设备中的功率管理单元。
　　由于其高效率和低功耗的特点，K238RFB025 在绿色能源和节能应用中表现出色。