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K2329 发布时间 时间:2025/9/7 15:26:04 查看 阅读:20

K2329 是一款常见的N沟道功率MOSFET晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等电力电子领域。该器件以其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性而受到欢迎。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):10A
  最大漏-源电压(VDS):60V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):0.36Ω
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220

特性

K2329的主要特性之一是其出色的导通性能,导通电阻RDS(on)典型值为0.36Ω,这有助于降低导通损耗,提高系统效率。此外,该MOSFET具有较高的耐压能力,漏-源电压最大可达60V,适用于中高压应用环境。
  K2329还具备良好的热稳定性,能够在高负载条件下保持稳定工作。其TO-220封装形式不仅便于安装和散热,也增强了其在各类电路设计中的适用性。
  此外,该器件的栅极驱动电压范围较宽(±20V),允许使用常见的驱动电路进行控制,兼容性强。由于其优异的电气特性和热性能,K2329在电源管理和功率控制应用中表现突出。

应用

K2329广泛应用于各类电力电子设备中,如开关电源、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统、电机驱动器、负载开关、逆变器等。此外,它也常用于工业自动化控制系统、电动车电源管理模块以及LED照明驱动电路中。
  在开关电源中,K2329用于主开关管或同步整流器,以提高转换效率并降低能耗;在电机驱动电路中,该MOSFET可用于控制电机的启停与调速,适用于小型直流电机和步进电机的驱动;在电池管理系统中,K2329可作为充放电控制开关,确保电池安全运行。
  其高可靠性和良好的性价比也使其在消费类电子产品、家电控制板、智能电表等场景中得到广泛应用。

替代型号

IRFZ44N, FDPF6N60, 2SK2329

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