时间：2025/8/23 5:19:31
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K229A04是一款由Kec Corporation生产的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用。该器件具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力，广泛用于电源转换器、DC-DC转换器以及负载开关等场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（最大值）
导通电阻（Rds(on)）：0.018Ω（典型值）
功率耗散（Pd）：35W
工作温度范围：-55°C至150°C
K229A04具备低导通电阻，使得在高电流工作时功率损耗更低，提高系统效率。其高频率响应特性适用于开关电源和负载管理应用。此外，该MOSFET采用TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并适用于表面贴装工艺。
在栅极驱动方面，K229A04的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，从而提升整体性能。此外，该器件具备较强的抗静电能力，增强了在工业环境中的可靠性。
K229A04通常用于各种电源管理系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器和负载开关。此外，它也适用于电池供电设备、电源适配器及LED驱动电源等应用场合。由于其高效率和小尺寸封装，适合用于紧凑型设计和高密度电路布局。
Si2302DS、IRLML2402、FDMS8878、AO3400
