时间：2025/12/24 16:29:49
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K2291 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频率开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效能功率开关的场合。K2291具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于需要高效、小型化设计的电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：30A
导通电阻（Rds(on)）：约0.045Ω（典型值）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
K2291 MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。在60V的漏源耐压下，它能够承受较高的工作电压，适合用于中等功率的电源设计。此外，K2291的封装形式为TO-220，这种封装方式具有良好的散热性能，适合在较高功率环境下使用。
K2291的栅极驱动电压范围为±20V，因此在设计时需要注意栅极驱动电路的稳定性，以防止过压损坏器件。其连续漏极电流能力为30A，能够在短时间内承受较高的电流冲击。同时，该器件的热阻较低，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
由于其高开关速度和低寄生电容，K2291也适用于高频开关应用，例如开关电源（SMPS）、电机控制、LED驱动和电池充电系统等。此外，其耐用性和热稳定性也使其在工业控制和自动化设备中广泛应用。
K2291主要应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统、LED照明驱动器、工业控制设备以及各种高频率功率转换电路。由于其高效率和低导通损耗的特性，特别适合用于需要高效率和小型化设计的电源系统。
IRFZ44N, FDP3632, TK31A06K3, Si4410DY
