类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：9A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（Idm）：36A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ Vgs=10V
　　阈值电压（Vgs(th)）：3~5V
　　输入电容（Ciss）：1100pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：350pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　最大功耗（Pd）：150W @ 25°C
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220 / TO-263

K2226作为一款高压N沟道MOSFET，具备出色的电气性能和可靠性，尤其在高电压环境下表现出优异的开关特性。其600V的漏源击穿电压使其适用于离线式开关电源设计，例如AC-DC适配器、LED驱动电源以及光伏逆变器等应用。该器件的低导通电阻（典型值0.22Ω）有效降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统的能效表现，尤其是在持续负载运行条件下优势明显。此外，K2226具有较高的栅极阈值电压范围（3~5V），确保了在数字逻辑信号驱动下不会因噪声干扰而误触发，增强了系统的抗干扰能力。
　　该MOSFET采用了优化的硅片工艺，在保证高耐压的同时实现了较快的开关速度，输入电容和输出电容分别约为1100pF和350pF，使得其在高频开关应用中仍能保持较低的驱动损耗。同时，较短的反向恢复时间（约45ns）有助于减少体二极管在续流过程中的能量损失，降低温升风险，提升整体电路的稳定性。K2226还具备良好的热阻特性，配合适当的散热措施可在高温环境中长期稳定运行。其封装形式为常见的TO-220或TO-263，兼容性强，易于集成于各类电源模块中，并支持自动焊接工艺，适合批量生产。
　　值得注意的是，尽管K2226性能优良，但在实际应用中仍需注意栅极驱动电路的设计，建议使用专用的MOSFET驱动芯片或添加适当的栅极电阻以抑制振铃和电磁干扰。同时，应避免超过其最大额定功耗和结温限制，必要时需加装散热片或强制风冷。总体而言，K2226是一款性价比高、应用广泛的中功率MOSFET器件，特别适用于对成本敏感但又要求一定可靠性的电源系统设计。

K2226广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，包括但不限于：通用开关模式电源（SMPS）、离线式反激变换器、DC-DC升压/降压转换器、LED恒流驱动电源、小型逆变器、家用电器电源板、充电器适配器（如笔记本电脑、手机充电器）、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。其高耐压和适中的电流承载能力使其成为许多600V级电源拓扑结构的理想选择。此外，也常见于UPS不间断电源、电子镇流器和电池管理系统中作为主开关元件。

[
　　 "2SK2226",
　　 "K2226A",
　　 "STP9NK60ZFP",
　　 "FQP9N60C",
　　 "IRFBC40"
　　]