时间：2025/8/6 16:57:19
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K215 是一款常见的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。这款晶体管以高效率和快速开关特性著称，适用于DC-DC转换器、负载开关和电机控制等场景。K215通常采用TO-220或TO-252等封装形式，具备良好的散热性能，适合中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
漏源击穿电压（VDS）：60V
栅源击穿电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：≤0.35Ω
功率耗散（PD）：40W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220、TO-252（具体取决于制造商）
K215具有优异的导通性能和较低的导通电阻，能够有效降低功耗并提高系统效率。其高耐压特性使其在多种电源管理应用中表现出色。此外，该器件具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。K215的封装设计优化了散热效果，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。由于其高可靠性和成熟的设计，K215被广泛应用于工业控制、消费电子和汽车电子等领域。
该MOSFET还具备良好的抗静电能力，能够在一定程度上抵御静电放电（ESD）对器件的损害，从而提高电路的稳定性。此外，K215的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的3.3V至12V驱动电路，便于与各种控制器配合使用。
K215主要应用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、LED照明控制系统以及电池管理系统等场景。它在电源管理模块中作为主开关器件使用，能够有效提高转换效率并降低发热。此外，该器件也常用于工业自动化设备中的功率控制部分，以及家用电器中的节能控制电路。
IRFZ44N, FQP10N60, STP10NK60Z, 2SK215（原厂型号）
