型号：K2098
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压Vds：900V
　　漏极电流Id：7A（连续）
　　脉冲漏极电流Idm：28A
　　栅源电压Vgs：±30V
　　导通电阻Rds(on)：典型值1.5Ω（最大值1.8Ω）@ Vgs=10V
　　阈值电压Vgs(th)：2.0V~4.0V
　　输入电容Ciss：典型值600pF @ Vds=25V, Vgs=0V
　　输出电容Coss：典型值110pF
　　反向传输电容Crss：典型值15pF
　　开启延迟时间td(on)：典型值25ns
　　关断延迟时间td(off)：典型值60ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220/TO-220F

K2098具备优异的动态和静态电气特性，能够在高压环境下实现高效的功率转换与控制。其最大的特点之一是高达900V的漏源击穿电压，使其适用于高电压开关电源设计，如AC-DC适配器、LED驱动电源以及离线式反激变换器等应用场合。在导通状态下，K2098的Rds(on)典型值仅为1.5Ω，在保证较低导通损耗的同时减少了发热问题，提高了整体系统的能效表现。得益于优化的晶圆制造工艺，该器件拥有较稳定的阈值电压范围（2.0V~4.0V），确保了在不同驱动条件下均能可靠开启。
　　另一个显著优势在于其快速的开关响应能力。开启延迟时间和关断延迟时间分别约为25ns和60ns，使得K2098能够胜任高频开关操作，从而支持更高频率的PWM控制策略，有助于减小外围无源元件（如电感和电容）的体积，进而实现电源系统的小型化设计。同时，较低的输入、输出及反向传输电容也降低了驱动电路的负载需求，提升了驱动效率并减少了不必要的开关振荡风险。
　　K2098还具备良好的热性能和可靠性。TO-220封装不仅便于安装散热片以增强散热效果，而且内部结构设计合理，可有效传导热量，避免因局部过热导致器件失效。此外，该MOSFET经过严格的测试流程，具备一定的抗雪崩能力和抗静电能力，能够在瞬态过压或突发负载变化的情况下保持正常工作，提升整个电力电子系统的鲁棒性。综合来看，K2098是一款兼顾性能、成本与可靠性的高压N沟道MOSFET，适用于多种中高功率应用场景。

K2098广泛应用于各类需要高压开关功能的电源与功率控制系统中。常见用途包括但不限于：开关模式电源（SMPS），特别是反激式、正激式和半桥拓扑结构中的主开关元件；LED恒流驱动电源，用于商业照明、户外灯具和室内照明系统中实现高效直流转换；家电产品中的电机控制模块，例如空调压缩机、洗衣机变频驱动等；工业自动化设备中的DC-DC转换器和隔离式电源模块；此外，它也可用于UPS不间断电源、电池充电器以及太阳能逆变器等新能源相关领域。由于其具备较高的电压耐受能力和较好的开关特性，K2098特别适合工作在市电整流后的高压母线上，执行高频斩波任务。在设计紧凑型高效率电源时，工程师常常选择K2098作为核心开关器件，以平衡性能、成本和可靠性之间的关系。

2SK2098,K2097,K2100,2SC5346,IRFGB30