时间：2025/9/7 17:05:55
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K2007 是一款由韩国公司KEC（Korea Electronics Corporation）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和功率放大等应用。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适用于各种电子设备中的开关电源、DC-DC转换器和负载开关等场景。
类型：N沟道
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：10A（最大）
导通电阻（Rds(on)）：0.35Ω（最大）
功率耗散（Pd）：40W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
K2007 具备低导通电阻的特点，能够在高电流条件下保持较低的功率损耗，从而提高整体系统的效率。其高耐压能力和良好的热管理性能使其适用于多种高功率应用。此外，该器件具备较强的抗过载能力，在瞬态电流冲击下仍能保持稳定运行。K2007 的TO-220封装形式也便于散热器安装，增强其在高功耗环境下的可靠性。
K2007 的栅极驱动电压范围较宽，可在+10V至+20V之间工作，这使其能够兼容多种驱动电路设计。其快速开关特性也有助于降低开关损耗，提高系统响应速度。此外，该MOSFET具备良好的抗静电能力和过温保护性能，增强了器件在复杂电磁环境中的稳定性。
K2007 常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、负载开关、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统中。其高可靠性和良好的导通特性也使其适用于汽车电子、LED照明驱动、通信设备和消费类电子产品中的功率控制模块。
IRFZ44N, FQP10N60, STP10NK60Z, 2SK2007
