产品类型：多层陶瓷电容器（MLCC）
　　电容值：2 pF
　　容差：±0.05 pF
　　额定电压：100 V DC
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度系数：C0G（NP0）
　　封装尺寸：0402（1.0 mm x 0.5 mm）
　　介质材料：Ceramic（C0G/NP0）
　　直流电阻（DCR）：典型值 > 100 GΩ
　　绝缘电阻：> 100 GΩ
　　自谐振频率（SRF）：典型值 > 10 GHz
　　等效串联电阻（ESR）：< 10 mΩ
　　等效串联电感（ESL）：< 0.2 nH
　　射频电流额定值：高达 1.5 A RMS（取决于频率和散热条件）
　　老化率：0% per decade
　　焊接耐热性：符合J-STD-020，MSL 1（无湿敏等级）

K2-VAT2+ 射频多层陶瓷电容器的核心优势在于其采用C0G（也称为NP0）介质材料，这种材料具有极其稳定的介电性能，几乎不受温度、电压和频率变化的影响。在-55°C至+125°C的整个工作温度范围内，其电容值的变化不超过±30 ppm/°C，确保了在极端环境下的精确性和可重复性。这种稳定性使其成为高频振荡器、滤波器和匹配网络中的理想选择，尤其是在需要长期可靠性和最小相位漂移的应用中。
　　该器件的超低等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL）是其在射频应用中表现出色的关键因素。低ESR意味着更少的能量损耗和更低的发热，从而提高了系统的整体效率和可靠性。而极低的ESL则显著提升了自谐振频率（SRF），使得K2-VAT2+ 能够在高达10 GHz以上的频率下仍保持良好的电容行为，避免了传统电容器在高频下转变为电感性元件的问题。
　　K2-VAT2+ 采用专有的多层堆叠技术，优化了内部电极结构，进一步降低了寄生效应。其0402小型封装不仅节省宝贵的PCB空间，还支持高密度组装和自动化贴片工艺。此外，该器件经过严格的老化筛选和高温负荷测试，确保在长期运行中不会出现电容漂移或性能退化。其高绝缘电阻和高耐压能力也增强了在高压射频环境中的安全性与稳定性。
　　值得一提的是，K2-VAT2+ 在射频功率处理方面表现卓越，能够承受较高的射频电流而不发生热失效或参数偏移。这一特性使其广泛应用于基站功放、雷达发射模块和高频测试探头等高功率场景。综合来看，K2-VAT2+ 凭借其出色的电气性能、机械可靠性和环境适应性，成为高端射频设计工程师信赖的关键无源元件之一。

K2-VAT2+ 多层陶瓷电容器广泛应用于对性能和可靠性要求极高的射频和微波电子系统中。在无线通信基础设施领域，它常用于蜂窝基站的功率放大器（PA）输出匹配网络中，作为关键的调谐元件，确保信号在GHz频段内高效传输并减少失真。由于其优异的温度稳定性和低损耗特性，该电容器也适用于5G毫米波前端模块，在高频波束成形网络和天线调谐电路中发挥重要作用。
　　在测试与测量设备中，K2-VAT2+ 被集成于矢量网络分析仪（VNA）、频谱分析仪和射频探针卡中，用于构建高精度的校准标准和参考电路。其极小的容差（±0.05 pF）和几乎零温漂的特性，保证了测量结果的准确性和可重复性，是实现亚皮法级精度的关键组件。
　　在航空航天与国防电子系统中，K2-VAT2+ 因其高可靠性和抗恶劣环境能力，被用于雷达系统、电子战（EW）设备和卫星通信载荷中的滤波器和耦合电路。这些应用场景通常涉及极端温度变化、高振动和辐射环境，而K2-VAT2+ 的C0G介质和坚固的陶瓷结构能够有效应对这些挑战。
　　此外，该器件也适用于高速数字系统中的电源去耦和噪声抑制，特别是在时钟发生器和ADC/DAC前端电路中，用于滤除高频噪声并维持信号完整性。其高自谐振频率使其能在GHz以上频段有效工作，优于传统去耦电容。总之，K2-VAT2+ 是高性能射频设计中不可或缺的基础元件，适用于任何需要精密、稳定和高频响应的电子系统。

GRM0335C1H2R0WA01D
　　CGA1L3X7R1H2R0C0200