时间：2025/8/9 8:56:47
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K1940-01是一种高压、高电流能力的功率MOSFET，适用于需要高效开关和高耐压性能的应用场景。该器件采用先进的硅工艺技术，具备出色的热稳定性和长期可靠性，广泛用于电源转换、马达控制以及工业自动化设备中。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流：10A
漏极-源极击穿电压：900V
栅极-源极电压：±30V
导通电阻：0.65Ω（最大）
封装类型：TO-220
工作温度范围：-55°C至150°C
K1940-01 MOSFET采用了先进的平面硅工艺，具备卓越的耐用性和稳定性，尤其在高电压和高电流条件下仍能保持优异的性能。其高耐压能力（900V）使其在高功率应用中表现出色，同时其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高效率。此外，该器件的封装形式（TO-220）确保了良好的散热性能，延长了器件的使用寿命。
该器件还具备良好的抗过载能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不会损坏。其栅极设计优化了开关特性，减少了开关损耗，并降低了电磁干扰（EMI）。此外，K1940-01在极端温度条件下仍能保持稳定的工作性能，适用于各种苛刻的工业环境。
K1940-01主要用于各种高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器以及工业自动化控制系统。此外，它也适用于照明控制电路、电池管理系统（BMS）和电焊设备等需要高可靠性和高耐压性能的场合。
IRF840, FQA10N90C, STF9NK90Z
