K1471 时间：2025/9/21 10:47:46 阅读：4

K1471是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及其他需要高效功率切换的电子设备中。该器件采用先进的平面硅栅极工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性等特点。K1471特别适用于高频工作环境，能够有效降低开关损耗并提升系统整体效率。其封装形式通常为TO-220或TO-220F，具备良好的散热性能，适合在中等功率范围内长期稳定运行。作为一款通用型功率MOSFET，K1471在工业控制、消费类电子及照明电源等领域均有广泛应用。此外，该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适应现代绿色电子产品的发展需求。

参数

型号：K1471
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：500V
　　最大漏极电流（Id）：7A（连续）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.55Ω @ Vgs=10V
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2~4V
　　最大功耗（Pd）：125W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　输入电容（Ciss）：约600pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约130pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值为45ns
　　封装形式：TO-220/TO-220F

特性

K1471功率MOSFET采用东芝成熟的平面硅栅技术，确保了器件在高压应用中的可靠性和一致性。其最大漏源电压可达500V，能够在高电压环境下安全运行，适用于AC-DC电源和离线式开关电源设计。该器件的导通电阻较低，典型值为0.55Ω，在Vgs=10V条件下可实现较小的导通损耗，从而提高电源系统的转换效率。同时，较低的Rds(on)也有助于减少发热，延长器件使用寿命。
　　该MOSFET具备良好的开关特性，输入电容和输出电容均处于合理水平，使其在高频开关电路中表现出色。其反向恢复时间较短，典型值为45ns，有助于降低开关过程中的能量损耗，特别是在硬开关拓扑结构中表现优异。此外，K1471具有较高的栅极阈值电压范围（2~4V），增强了对噪声的抗干扰能力，避免因误触发导致的短路风险。
　　从热管理角度看，TO-220封装提供了优良的散热路径，允许器件在高负载下持续工作。最大功耗可达125W，结合适当的散热片使用，可在工业级温度范围内稳定运行。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应严苛的工作环境。K1471还具备雪崩能量耐受能力，提升了在瞬态过压情况下的鲁棒性。综合来看，该器件在性能、可靠性与成本之间实现了良好平衡，是中等功率开关应用的理想选择之一。

应用

K1471广泛应用于各类中等功率开关电源系统中，如液晶电视、台式电脑电源、适配器和充电器等消费类电子产品中的AC-DC转换电路。其500V的耐压能力和7A的连续漏极电流使其非常适合用于反激式（Flyback）和正激式（Forward）拓扑结构的电源设计。
　　在工业控制领域，K1471常被用于PLC电源模块、继电器驱动电路以及小型逆变器中，作为主开关器件实现高效的能量转换。此外，它也适用于LED照明驱动电源，尤其是在需要高效率和长寿命的户外照明或商业照明系统中。
　　由于其良好的开关特性和热稳定性，K1471还可用于直流电机控制、电动工具电源管理以及UPS不间断电源系统中。在这些应用中，器件需频繁进行高速开关操作，K1471的低导通电阻和快速响应能力有助于减少能耗并提升系统动态响应性能。
　　值得一提的是，K1471也可作为其他类似规格MOSFET的替代品，用于老旧设备维修或产品升级。其标准化封装便于替换，且供货稳定，适合批量生产使用。总体而言，K1471凭借其可靠的电气性能和广泛的适用性，在多种电力电子场景中发挥着重要作用。