类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：2.5 A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：10 A
　　功耗（Pd）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值 4.5 V，最大值 6 V（在特定测试条件下）
　　导通电阻（Rds(on)）：≤ 2.2 Ω（@Vgs = 10 V, Id = 1.2 A）
　　输入电容（Ciss）：约 1100 pF（@Vds = 25 V）
　　输出电容（Coss）：约 300 pF
　　反向恢复时间（trr）：不适用（无体二极管快速恢复要求）
　　封装形式：TO-220

K1460功率MOSFET的核心特性之一是其高达900V的漏源击穿电压，使其非常适合用于高压开关电源和离线式变换器设计。这一高耐压能力允许它直接连接到未经整流滤波的市电线路（如220V AC或更高），无需额外的降压电路即可安全运行。这不仅简化了系统结构，还提高了整体效率和可靠性。该器件在高温环境下仍能维持较低的导通损耗，得益于其优化的晶圆制造工艺和低热阻封装设计，即使在接近极限温度+150°C的工作结温下也能保持稳定的电气性能。
　　另一个显著特点是其良好的开关速度和可控的栅极电荷特性。K1460具有适中的输入电容和传输电容，使得驱动电路的设计相对容易，同时能够支持数十千赫兹甚至上百千赫兹的高频开关操作，从而减小磁性元件体积并提升电源功率密度。尽管其导通电阻相对现代超结MOSFET较高（约为2.2Ω），但在某些对成本敏感且不需要极致效率的应用中，这种折衷是可以接受的。此外，该器件具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压情况下吸收一定能量而不发生永久损坏，增强了系统的鲁棒性。
　　从可靠性角度看，K1460采用TO-220封装，具备良好的机械强度和散热能力，可通过螺钉或夹具固定于大型散热片上，有效降低热阻，延长使用寿命。其宽泛的工作温度范围（-55°C至+150°C）也意味着它可以应用于严苛的工业或户外环境，例如油田设备、铁路控制系统或高压照明系统。虽然该器件并非面向高频谐振拓扑或软开关应用而设计，但凭借其坚固耐用的特性和成熟的生产工艺，仍然是许多传统高压电源方案中的首选器件之一。

K1460广泛应用于多种高压电力电子设备中，尤其是在需要直接接入交流电网并进行高效直流转换的场合。一个典型应用场景是离线式反激变换器（Flyback Converter），在这种拓扑中，K1460作为主开关管承担能量传递任务，将高压交流输入整流后的直流电压斩波成高频脉冲，再通过变压器耦合实现隔离降压输出。这类电源常见于工业仪表、通信基站供电模块以及医疗设备电源单元。
　　此外，K1460也被用于构建升压型（Boost）或半桥式（Half-Bridge）DC-DC转换器，在太阳能逆变器、UPS不间断电源和电机驱动控制器中发挥关键作用。在这些系统中，它负责将前级产生的直流电压进一步提升或调制为所需的输出电平，满足不同负载的需求。由于其具备较高的电压裕量，即使在输入电压波动较大的情况下，也能确保系统稳定运行。
　　在工业加热控制系统和高压LED驱动电源中，K1460同样表现出色。例如，在感应加热设备中，它可以作为振荡回路的一部分参与能量交换；而在大功率LED照明系统中，则可用于恒流调节电路中的开关元件，实现精确的亮度控制。另外，由于其抗干扰能力强、耐压高，K1460还常被选用在电磁兼容（EMC）要求较高的环境中，避免因电压尖峰导致器件失效。总之，该器件凭借其高压承受能力和稳定性，成为众多工业级电源产品中不可或缺的关键元器件。