K1400A是一款广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等高电压高电流场合的N沟道功率MOSFET。这款器件以其高效率、高可靠性和良好的热稳定性著称,适合在高温环境下运行。K1400A通常采用TO-220或TO-3P封装形式,具有良好的散热性能,适用于各种工业控制和电力电子设备。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流:11A
最大漏源电压:900V
最大栅源电压:±30V
导通电阻(Rds(on)):典型值1.5Ω(不同Vgs条件下可能变化)
功率耗散:80W(Tamb=25℃)
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装类型:TO-220、TO-3P等
K1400A的核心优势在于其高耐压能力和较高的电流承载能力,使其适用于多种高电压应用。其导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高系统整体效率。此外,K1400A具备优异的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定工作,延长了器件的使用寿命。
K1400A的栅极结构设计优化了开关性能,使其在高频开关应用中表现良好,减少了开关损耗。该器件还具有良好的抗雪崩能力和过载能力,能够在异常工况下提供更高的安全系数。
在制造工艺方面,K1400A采用了先进的硅基技术,确保了器件的高可靠性和一致性。其封装形式具有良好的散热能力,能够有效传导和散发工作过程中产生的热量,防止因温度过高而导致的失效。
K1400A广泛应用于各类电力电子设备中,如开关电源、DC-DC转换器、AC-DC整流器、逆变器、电机控制电路、UPS不间断电源、工业自动化控制系统等。由于其高耐压特性,也常用于照明设备、节能灯驱动电路、变频器以及家用电器的电源部分。
K2143、K2647、K2497、K1433、K1403