类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：8A
　　最大漏-源电压（VDS）：900V
　　最大栅-源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(ON)）：约0.95Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220

K1390-R MOSFET具有多个关键特性，适用于高要求的功率应用。首先，其高达900V的漏-源击穿电压（VDS）使其适用于高压环境，例如开关电源中的主开关元件。其次，该器件的导通电阻（RDS(ON)）较低，通常为0.95Ω，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，TO-220封装提供了良好的散热性能，适用于高功率密度设计。其栅极驱动电压范围宽，通常可在10V至20V之间工作，确保在不同驱动条件下均能实现良好的导通特性。K1390-R还具备快速开关能力，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和逆变器电路。此外，其栅极氧化层设计具有良好的抗雪崩能力，提高了器件的可靠性。该MOSFET在设计上优化了开关损耗与导通损耗之间的平衡，使其在实际应用中具有较高的能效和稳定性。这些特性使得K1390-R成为高压电源、电机控制、照明设备及工业自动化设备中理想的功率开关元件。

K1390-R MOSFET适用于多种功率电子系统，广泛应用于开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、LED照明驱动器、电机控制电路、逆变器、UPS系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中。在开关电源中，K1390-R可作为主开关管，负责将高压交流电转换为直流电，并通过高频开关实现高效的能量转换。在电机控制中，该器件可用于PWM控制电路，实现精确的速度和扭矩调节。在LED照明应用中，K1390-R可用于恒流驱动电路，提供稳定的输出电流。此外，该MOSFET也适用于需要高压、中等电流能力的电源管理模块，如电池充电器、太阳能逆变器以及家用电器中的电源控制单元。其高耐压和良好的热性能使其在高温环境下仍能保持稳定运行，因此也常用于工业级电源系统。

K2647, K1317, IRF840, 2SK1393, 2SK1173