时间：2025/8/8 16:57:57
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K1276是一款由日本东芝公司生产的N沟道功率MOSFET，广泛用于各种高功率开关电路中，例如电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等应用场景。这款MOSFET以其高效率和快速开关性能著称，适用于需要高性能和高可靠性的电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：120A
漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约2.7mΩ（典型值）
封装形式：TO-247
工作温度范围：-55°C 至 150°C
K1276具有极低的导通电阻，这使得在高电流条件下功耗显著降低，提高了系统的整体效率。此外，它具备较高的耐压能力，漏极-源极之间的击穿电压为60V，适合在中高功率应用中使用。其栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的抗过压能力，同时确保稳定的开关性能。该器件采用了先进的封装技术，提供了良好的散热性能，能够承受较大的功率负载。
K1276的快速开关特性使其在高频开关应用中表现优异，能够有效减少开关损耗。这使其非常适合用于现代开关电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC转换器等电路中。此外，其高可靠性和宽工作温度范围也使其适用于工业自动化设备、汽车电子系统等苛刻环境。
K1276主要用于高功率电源管理系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统（BMS）。它也常用于工业自动化设备中的功率控制模块，以及新能源汽车中的电能转换系统。由于其高效率和快速响应特性，该MOSFET也广泛应用于LED照明驱动电路、逆变器以及UPS（不间断电源）系统中。
TK1276E, SiR1276DP, FDP1276N
