型号：K1200S
　　极性：N沟道
　　漏源电压（Vds）：1200V
　　连续漏极电流（Id）：1.2A
　　脉冲漏极电流（Idm）：4.8A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值6.5Ω（最大值7.5Ω）
　　阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容（Ciss）：约600pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约150pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：不适用（MOSFET无固有体二极管恢复时间，但存在体内二极管）
　　工作结温范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-220F

K1200S作为一款高压N沟道MOSFET，具备出色的高压阻断能力，其1200V的漏源击穿电压使其适用于高压电源系统，如工业级AC-DC转换器、LED驱动电源以及光伏逆变器等场合。该器件在高电压条件下仍能维持较低的漏电流，确保系统在待机或轻载状态下的能效表现。其1.2A的连续漏极电流能力虽不算高，但在高压小功率应用中已足够使用，尤其适合用于ZVS（零电压开关）或QR（准谐振）反激拓扑结构中。
　　K1200S的导通电阻典型值为6.5Ω，在同类1200V MOSFET中处于合理水平，有助于降低导通损耗，提高整体效率。尽管相比新一代超结MOSFET其Rds(on)偏高，但其成本优势明显，适合对成本敏感的应用场景。器件的栅极电荷（Qg）较低，通常在几十纳库仑级别，这使得其驱动电路设计更为简单，驱动损耗小，适合高频开关操作。此外，其输入电容较小，有助于减少开关过程中的能量损耗，提升系统的动态响应速度。
　　该器件采用TO-220F封装，具有良好的散热性能，可通过外接散热片进一步增强热管理能力。其绝缘封装设计使引脚与散热片电气隔离，便于在高压系统中实现安全接地和布局优化。K1200S具备较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压或感性负载切换时提供一定的自我保护能力，提高了系统可靠性。同时，其工作结温可达150℃，适应高温环境运行，适合工业和户外应用场景。

K1200S广泛应用于各类中高电压开关电源系统中，尤其是在需要1200V耐压等级的小功率至中功率变换器中表现突出。常见应用包括离线式反激电源（Flyback Converter），用于电视机、显示器、充电器等消费电子产品中的辅助电源（Auxiliary Power Supply）。在LED照明驱动领域，特别是高压LED模组或户外照明电源中，K1200S可用于主开关管，实现高效的能量转换。
　　在工业控制设备中，K1200S常用于PLC电源模块、继电器驱动电路或小型逆变器中的功率开关元件。其高耐压特性也使其适用于光伏（PV）系统中的直流侧开关或旁路控制电路。此外，在电子镇流器、 uninterruptible power supplies（UPS）以及小型电机驱动电路中也有应用实例。
　　由于其封装形式为TO-220F，安装简便且易于维修更换，因此在中小批量生产和维修市场中备受欢迎。其绝缘特性也使其适用于需要电气隔离的电源设计，避免了额外的绝缘垫片或复杂的PCB布局。在一些低成本高压DC-DC转换器中，K1200S可作为初级侧开关使用，配合合适的控制IC实现稳定的电压输出。总体而言，K1200S适用于对成本敏感、要求高耐压、中低电流开关操作的电力电子系统。

K1200D, K1200G, 2SK2118, 2SK2120, FQP12N120, STGF12N120D}