类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：超过12A
　　漏源击穿电压（BVDSS）：超过100V
　　导通电阻（RDS(on)）：低至0.4Ω以下（具体取决于工作条件）
　　最大耗散功率（PD）：超过80W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220或TO-263（具体取决于制造商）

K1033 的主要特性包括其高电流承载能力和高耐压能力，这使其非常适合用于高功率音频放大器的设计。该器件的低导通电阻有助于减少功率损耗，提高放大器效率，并减少发热。此外，K1033具有良好的热稳定性，可以在较高温度下稳定工作，提高了器件的可靠性和寿命。
　　K1033 的另一个显著特点是其与J162等P沟道晶体管的匹配性。在推挽式功放电路中，这种配对可以实现对称的放大特性，减少奇次谐波失真，提高音频信号的保真度。此外，K1033 还具有较快的开关速度，有助于在高频范围内保持良好的线性度，适用于宽带音频放大器的设计。
　　从制造工艺来看，K1033 通常采用高纯度硅材料和先进的封装技术，以确保其在高功率工作下的稳定性和散热性能。其TO-220或TO-263封装形式也便于安装散热片，从而进一步提升其热管理能力。

K1033 主要应用于高保真音频放大器、功放设备、音响系统、专业音频设备以及DIY音频放大器项目中。在这些应用中，K1033 通常作为输出级的主功率晶体管，负责放大音频信号并驱动扬声器。由于其良好的线性度和低失真特性，K1033 也广泛用于高端Hi-Fi音响系统中，以提供更清晰、更真实的音频体验。此外，该晶体管也可用于电源管理、DC-DC转换器以及需要高电流和高电压处理能力的电子设备中。

K1058、IRF540N、BUZ11、2SK1058、2SJ162