工作频率范围：DC ~ 6 GHz
　　衰减范围：0 dB 至 31.5 dB
　　控制电压范围：0 V 至 5 V
　　输入P1dB（典型值）：+24 dBm
　　输入三阶交调截点（IIP3，典型值）：+40 dBm
　　插入损耗（0 dB衰减时）：约1.8 dB
　　衰减精度（全范围）：±1.0 dB（最大）
　　电压驻波比（VSWR）：输入/输出均小于1.5:1
　　封装类型：SOT-523（表面贴装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　供电电压：+5 V（典型）
　　静态电流：约35 mA

K1-VAT+ 具备优异的宽带射频性能，在从直流到6 GHz的宽频率范围内保持一致的衰减特性和良好的阻抗匹配。其核心特性之一是通过0 V至5 V的模拟控制电压实现0 dB至31.5 dB的连续衰减调节，这种线性电压控制方式使得系统设计者可以轻松集成到闭环自动电平控制（ALC）系统中，实现精确的输出功率稳幅。该器件采用高精度薄膜电阻网络与PIN二极管或FET可变电导元件相结合的技术，确保在整个衰减范围内具有高度的单调性和重复性，避免了数字步进衰减器可能出现的跳变或非线性问题。
　　该可变衰减器具有出色的线性度和高输入三阶交调截点（IIP3高达+40 dBm），能够在存在强干扰信号的环境中维持良好的信号完整性，减少互调失真对系统性能的影响，因此非常适合用于多载波通信系统或高密度频谱环境下的射频前端。其输入P1dB压缩点高达+24 dBm，表明其能够处理较高的射频功率而不会发生明显的非线性失真，增强了系统的动态范围和可靠性。
　　在温度稳定性方面，K1-VAT+ 内部采用了温度补偿电路设计，有效抑制了因环境温度变化引起的衰减值漂移，确保在-40°C至+85°C的工作温度范围内仍能保持±1.0 dB以内的衰减精度。这一特性对于部署在户外基站、航空航天或工业级设备中的射频模块尤为重要。此外，该器件的输入和输出端口均经过内部匹配至50 Ω，显著降低了对外部匹配元件的需求，简化了PCB布局并节省了板空间。
　　封装方面，K1-VAT+ 采用小型化的SOT-523表面贴装封装，尺寸紧凑，适合高密度组装工艺，并兼容自动化贴片生产线。其低功耗设计（静态电流约35 mA）也使其适用于便携式或远程供电的射频系统。整体而言，K1-VAT+ 在性能、稳定性、集成度和可靠性之间实现了良好平衡，是一款适用于高端射频应用的高性能模拟可变衰减器。

K1-VAT+ 广泛应用于各类高性能射频与微波系统中，特别是在需要连续、精确控制信号强度的场景下表现出色。其主要应用领域包括蜂窝通信基础设施，例如4G LTE和5G基站的射频前端模块，其中用于自动电平控制（ALC）环路以稳定发射功率输出，防止过驱动后级功率放大器或造成频谱再生。在无线回传和微波点对点通信系统中，K1-VAT+ 可用于动态调节接收链路的增益，适应不同距离和传播条件下的信号强度变化，提升系统灵敏度和误码率性能。
　　在测试与测量仪器中，如矢量网络分析仪（VNA）、信号发生器和频谱仪，K1-VAT+ 被用于构建可编程衰减路径，实现宽动态范围的信号调理功能，支持自动校准和多通道同步测量。其高线性度和低失真特性确保测试结果的准确性与重复性。
　　此外，该器件也适用于军事与航空航天领域的电子战（EW）系统、雷达接收机前端和安全通信设备，这些应用通常要求元器件具备宽频带操作能力、高可靠性和良好的温度稳定性。K1-VAT+ 的坚固封装和宽温工作能力使其能在严苛环境下稳定运行。
　　在有线电视（CATV）和卫星通信终端中，K1-VAT+ 可用于均衡信号电平，补偿长距离传输中的损耗波动，保障用户端信号质量的一致性。同时，它也可集成于软件定义无线电（SDR）平台中，作为可重构射频前端的一部分，支持多种通信模式下的自适应信号处理。总之，K1-VAT+ 凭借其宽带、高线性、高精度和易于集成的特点，成为现代射频系统中不可或缺的关键组件之一。

VAT-31+
　　VAT-31A+
　　K1-VAT