K0389 是一款由Kec Corporation生产的N沟道功率MOSFET,常用于高电压、高电流的开关应用中。该器件设计用于高效能的功率转换和管理,适用于电源供应器、DC-DC转换器以及马达控制器等应用。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):900V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):12A(最大)
导通电阻(Rds(on)):0.35Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd):150W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
K0389具有低导通电阻,可有效减少功率损耗并提高效率。其高电压耐受能力达到900V,适用于高电压系统中的开关操作。此外,该器件具备高功率耗散能力,能够在高负载条件下稳定运行。K0389采用TO-220封装形式,便于散热和安装。
K0389的栅极驱动设计使其能够在较宽的栅压范围内正常工作,同时具备快速开关能力,适用于高频操作环境。该MOSFET的可靠性高,适合在恶劣环境中使用,如工业控制和电源管理系统。
K0389广泛应用于各类功率电子设备,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、马达控制电路、照明系统以及各种高电压开关电路。此外,它也可用于逆变器和UPS系统中的功率开关。
K2647, IRF840, 2SK2212