JXP3400BMRG是一款高性能的功率MOSFET芯片,专为高效率、低损耗的应用场景设计。该器件采用先进的制程工艺,具备极低的导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理应用,如DC-DC转换器、电机驱动器以及负载开关等。其封装形式紧凑,能够有效节省电路板空间,并提供卓越的热性能。
型号:JXP3400BMRG
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
总栅极电荷(Qg):39nC
开关速度:快速开关
工作温度范围(Ta):-55℃至+175℃
封装形式:TO-263(D2PAK)
JXP3400BMRG的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用,减少开关损耗。
3. 高额定电流能力,可支持高达18A的连续漏极电流。
4. 强大的热性能,即使在高温环境下也能保持稳定运行。
5. 小巧的封装设计,便于PCB布局并节省空间。
6. 宽广的工作温度范围,适应各种恶劣环境下的应用需求。
7. 高可靠性,经过严格的质量测试,确保长期使用中的稳定性。
JXP3400BMRG广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 降压/升压DC-DC转换器。
3. 电机驱动控制电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的高效功率转换。
7. 大电流电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
JXP3400BMQG, IRF3710, FDP3400N