时间：2025/5/26 17:59:49
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JX6302P50PR-G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用先进的沟槽式技术制造。该芯片广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景中。其卓越的导通电阻和快速开关特性使其成为高效能应用的理想选择。
该器件能够在高频条件下保持较低的功耗，同时具备良好的热稳定性和抗浪涌能力，适用于对效率和可靠性要求较高的电子设备。
型号：JX6302P50PR-G
类型：N-Channel MOSFET
封装形式：TO-220
Vds（漏源极电压）：50V
Rds(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V时）
Id（连续漏极电流）：68A
Qg（栅极电荷）：37nC
Vgs(th)（栅极阈值电压）：2V~4V
fT（截止频率）：1.6MHz
工作温度范围：-55℃~+175℃
JX6302P50PR-G 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够有效降低导通损耗，提高系统效率。
2. 高电流承载能力，峰值电流可达到70A以上。
3. 快速开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 小型化封装设计，便于PCB布局和散热管理。
5. 具备优秀的热稳定性能，在高负载情况下依然可以保持可靠运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计，适合各类现代工业和消费类电子产品。
7. 内部集成ESD保护电路，增强器件的抗静电能力。
JX6302P50PR-G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. DC-DC转换器中的开关元件。
4. 工业自动化控制中的功率开关。
5. 汽车电子系统的负载开关及逆变器。
6. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品中的功率调节模块。
JX6302P50PR-A, IRF540N, FDP5800
