时间：2025/7/1 10:19:17
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JX6302P50MR-G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。该芯片采用了先进的制造工艺，具备低导通电阻和高耐压能力，能够有效降低功耗并提升系统效率。
其封装形式为 TO-252（DPAK），适合表面贴装应用，同时具有良好的散热性能，适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品中。
型号：JX6302P50MR-G
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：2.5mΩ (典型值，Vgs=10V)
总功耗(Ptot)：78W
工作温度范围(Ta)：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252 (DPAK)
JX6302P50MR-G 具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，可显著降低导通损耗，提升整体效率。
2. 高雪崩击穿能量能力，增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，支持高频开关应用，减少开关损耗。
4. 内置 ESD 保护电路，提高了器件的抗静电能力。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代绿色设计需求。
6. 表面贴装封装，便于自动化生产并提高可靠性。
JX6302P50MR-G 可广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 直流无刷电机(BLDC)驱动器中的功率级元件。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关或保护开关。
4. 工业自动化设备中的功率控制模块。
5. 汽车电子中的电机驱动和负载切换。
6. 消费类电子产品中的快速充电适配器及 USB-PD 控制器。
IRF540N, FDP55N10E, AO3400
