时间：2025/9/2 15:59:17
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JX2N5513是一款常用的N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理、电机控制和高频率开关应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性，适用于多种电子系统中的功率控制。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：4A
导通电阻（Rds(on)）：约0.65Ω（典型值）
最大功耗（Pd）：40W
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V至4V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-220AB
JX2N5513具备优异的导通性能和快速的开关响应，适用于高频开关电源和功率控制电路。其低导通电阻能够有效降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较高的热稳定性和可靠性，可在恶劣的工作环境下稳定运行。JX2N5513的栅极驱动要求较低，适合与常见的PWM控制器配合使用，广泛应用于DC-DC转换器、马达驱动器、负载开关等场合。
JX2N5513主要用于电源管理领域，例如DC-DC降压/升压转换器、AC-DC电源适配器、负载开关和马达驱动电路。此外，它还可用于工业自动化控制、电动车控制器、LED照明驱动以及消费类电子产品中的功率控制部分。由于其高可靠性和优良的热性能，JX2N5513在各类中高功率应用中表现出色。
IRF540N, FQP4N60, 2N6782, STP4NK60Z
