JX2N5513是一款常用的N沟道功率MOSFET,广泛用于电源管理、电机控制和高频率开关应用中。该器件具有高耐压、低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电子系统中的功率控制。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):约0.65Ω(典型值)
最大功耗(Pd):40W
栅极阈值电压(Vgs(th)):2V至4V
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220AB
JX2N5513具备优异的导通性能和快速的开关响应,适用于高频开关电源和功率控制电路。其低导通电阻能够有效降低导通损耗,提高系统效率。此外,该器件具有较高的热稳定性和可靠性,可在恶劣的工作环境下稳定运行。JX2N5513的栅极驱动要求较低,适合与常见的PWM控制器配合使用,广泛应用于DC-DC转换器、马达驱动器、负载开关等场合。
JX2N5513主要用于电源管理领域,例如DC-DC降压/升压转换器、AC-DC电源适配器、负载开关和马达驱动电路。此外,它还可用于工业自动化控制、电动车控制器、LED照明驱动以及消费类电子产品中的功率控制部分。由于其高可靠性和优良的热性能,JX2N5513在各类中高功率应用中表现出色。
IRF540N, FQP4N60, 2N6782, STP4NK60Z