时间：2025/9/2 15:02:47
阅读：14
JX2N5325 是一款由 JX（江苏长电科技）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等场景。其设计具备低导通电阻（Rds(on)）和高耐压能力，能够在较高的开关频率下工作，同时保持较低的功率损耗。该 MOSFET 通常采用 TO-220 或 TO-252（DPAK）封装形式，便于散热并适用于多种功率应用场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流（ID）：14A
最大漏源电压（VDS）：200V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220 或 TO-252
JX2N5325 MOSFET 具备出色的电气性能和热稳定性，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。器件的高耐压能力（200V）使其适用于中高压电源转换系统，例如开关电源、逆变器和电机控制电路。
此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许使用标准的 10V 或 12V 栅极驱动器进行控制，增强了设计的灵活性。其封装形式（如 TO-220）具备良好的散热性能，适用于中高功率密度设计。
该器件还具备良好的抗雪崩能力和较高的可靠性，适合在工业环境和车载应用中使用。其快速开关特性降低了开关损耗，提升了整体系统性能，尤其是在高频操作条件下表现优异。
JX2N5325 主要用于各类功率电子设备中，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、逆变器、LED 照明驱动、工业自动化控制系统以及车载电子设备。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高效率功率转换应用的理想选择。
2N5325, IRF540N, FDP14N20, STP14NK20Z
