类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：≤65mΩ（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

JX2N4916具备优异的电气性能和热稳定性，适用于高效率电源系统。其主要特性包括：
　　1. 高耐压能力：JX2N4916的漏源击穿电压高达100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种电源转换和功率控制应用。
　　2. 低导通电阻：在栅极电压为10V时，JX2N4916的导通电阻低于65mΩ，有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　3. 高电流承载能力：该MOSFET可承受高达30A的连续漏极电流，适合大功率负载的开关控制。
　　4. 快速开关特性：JX2N4916具有较短的开关时间，能够实现高频开关操作，适用于开关电源和DC-DC转换器。
　　5. 热阻性能优异：TO-220封装提供了良好的散热性能，确保器件在高负载条件下仍能保持稳定运行。
　　6. 宽工作温度范围：JX2N4916可在-55°C至+150°C的温度范围内正常工作，适应各种恶劣环境条件。
　　7. 高可靠性设计：该MOSFET采用了先进的制造工艺和优化的结构设计，确保长期稳定运行并具有较长的使用寿命。

JX2N4916适用于多种功率电子系统，主要包括：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关或同步整流器件，用于提高电源转换效率。
　　2. DC-DC转换器：用于电压调节和能量传输，适用于电池管理系统和便携式设备电源。
　　3. 电机驱动电路：用于控制直流电机的启停和转速调节，适用于工业自动化设备和电动工具。
　　4. 逆变器和UPS系统：作为功率开关器件，用于将直流电转换为交流电，适用于不间断电源和太阳能逆变器。
　　5. 负载开关：用于控制高功率负载的通断，如加热元件、LED照明系统和电源管理系统。
　　6. 电池充电管理：用于控制充电电流和电压，适用于锂电池充电器和储能系统。
　　7. 工业控制和自动化：用于各种工业设备的功率控制和信号处理电路。

IXFH30N100P, STP30NF10, FDPF30N10A