时间：2025/9/2 12:38:16
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JX2N3678A是一款由JX Microelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效能和低导通电阻的电源管理应用中。这款MOSFET具有高耐压和大电流承载能力，适合用于开关电源、DC-DC转换器和负载开关等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：30V
最大漏极电流（Id）：10A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：15nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-220
JX2N3678A具有低导通电阻，能够有效降低导通损耗并提高系统效率。其高电流承载能力和良好的热稳定性使其在高负载条件下依然能够保持稳定运行。此外，该器件的栅极电荷较低，有助于减少开关损耗，提高开关速度，适用于高频开关应用。
该MOSFET的封装设计有利于散热，确保在高功率应用中保持良好的热管理。JX2N3678A的工作温度范围较宽，能够在恶劣环境中稳定工作。其增强型结构确保在零栅极电压下器件处于关闭状态，避免了不必要的漏电流。
JX2N3678A广泛应用于各种电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制电路。此外，该器件也适用于电池管理系统、工业自动化设备和汽车电子系统中的功率控制部分。
Si2302DS, IRFZ44N, FDP3678
