时间：2025/9/2 15:41:14
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JX2N3674A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和功率控制电路中。该器件具有较低的导通电阻、快速的开关速度以及高耐压能力，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及开关电源等应用。JX2N3674A采用先进的工艺制造，确保了器件在高频率工作条件下的稳定性和效率，同时具备良好的热稳定性，能够在较高温度环境下可靠运行。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：100A（在25°C）
导通电阻(Rds(on))：≤4.5mΩ（典型值）
功率耗散(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
JX2N3674A具备多项优异的电气和热性能，首先，其低导通电阻（Rds(on)）使得在高电流工作状态下，导通损耗大大降低，从而提高整体系统的效率。
其次，该器件具有快速的开关特性，能够支持高频开关操作，适用于高效能的DC-DC转换器和同步整流电路。
此外，JX2N3674A的封装设计优化了热管理能力，确保在高负载条件下仍能保持较低的温升，提升了器件的稳定性和寿命。
该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，可在异常工况下提供更好的保护性能，增强了系统的可靠性。
最后，其栅极驱动电压范围较宽，兼容多种驱动电路设计，便于在不同应用场景中灵活使用。
JX2N3674A适用于多种功率电子设备，如高效率开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、马达驱动电路、电池充放电管理系统、工业自动化控制电路以及新能源汽车中的功率模块等。
此外，它也可用于电源管理模块、LED照明驱动器、不间断电源（UPS）系统以及各类高功率便携设备中。
由于其高可靠性和优异的热性能，JX2N3674A特别适合用于对空间和效率有较高要求的紧凑型电源设计方案。
SiS6280, IRF1324S, NexFET CSD17551Q5B
