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JX2N3674A 发布时间 时间:2025/9/2 15:41:14 查看 阅读:7

JX2N3674A是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于电源管理和功率控制电路中。该器件具有较低的导通电阻、快速的开关速度以及高耐压能力,适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统以及开关电源等应用。JX2N3674A采用先进的工艺制造,确保了器件在高频率工作条件下的稳定性和效率,同时具备良好的热稳定性,能够在较高温度环境下可靠运行。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  最大连续漏极电流(Id):100A(在25°C)
  导通电阻(Rds(on)):≤4.5mΩ(典型值)
  功率耗散(Pd):150W
  工作温度范围:-55°C ~ +175°C

特性

JX2N3674A具备多项优异的电气和热性能,首先,其低导通电阻(Rds(on))使得在高电流工作状态下,导通损耗大大降低,从而提高整体系统的效率。
  其次,该器件具有快速的开关特性,能够支持高频开关操作,适用于高效能的DC-DC转换器和同步整流电路。
  此外,JX2N3674A的封装设计优化了热管理能力,确保在高负载条件下仍能保持较低的温升,提升了器件的稳定性和寿命。
  该MOSFET还具备较高的短路耐受能力,可在异常工况下提供更好的保护性能,增强了系统的可靠性。
  最后,其栅极驱动电压范围较宽,兼容多种驱动电路设计,便于在不同应用场景中灵活使用。

应用

JX2N3674A适用于多种功率电子设备,如高效率开关电源(SMPS)、DC-DC降压/升压转换器、马达驱动电路、电池充放电管理系统、工业自动化控制电路以及新能源汽车中的功率模块等。
  此外,它也可用于电源管理模块、LED照明驱动器、不间断电源(UPS)系统以及各类高功率便携设备中。
  由于其高可靠性和优异的热性能,JX2N3674A特别适合用于对空间和效率有较高要求的紧凑型电源设计方案。

替代型号

SiS6280, IRF1324S, NexFET CSD17551Q5B

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