时间：2025/9/2 23:04:05
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JX2N3387是一款N沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于电源管理、开关电路和功率放大器等领域。该器件具有较低的导通电阻、较高的耐压能力和良好的热稳定性，适用于需要高效率和高可靠性的应用环境。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
导通电阻（Rds(on)）：0.45Ω（最大值）
封装形式：TO-220
JX2N3387 MOSFET具有优异的电性能和热管理能力，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具备良好的抗过载能力和短路保护性能，适合在工业电源、DC-DC转换器、马达驱动和电子负载等应用中使用。JX2N3387采用TO-220封装，具有良好的散热性能，便于安装和使用。
JX2N3387的栅极驱动特性较为宽泛，允许使用常见的10V至15V栅极驱动电压进行完全导通，确保快速开关性能。其开关损耗较低，适合高频开关应用。此外，该MOSFET具有良好的线性区工作能力，适用于模拟开关和功率放大电路。器件的制造工艺符合工业级标准，确保了在各种工作环境下的稳定性和可靠性。
在使用过程中，建议为JX2N3387配备适当的散热片或散热系统，以确保长期稳定运行。同时，应避免超出其最大额定值的操作条件，如过高的电压或电流冲击，以免造成器件损坏。
JX2N3387常用于电源管理系统、DC-DC转换器、马达驱动电路、功率放大器、开关电源（SMPS）、LED驱动电路、电子负载以及工业控制设备中。其高可靠性和良好的电性能使其成为中功率应用中的理想选择。
IRF540N, FQP10N10L, 2N6782
