类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：8A（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.3Ω（典型值）
　　功耗（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220
　　晶体管配置：单管

JX2N3384具有多个关键特性，使其适用于多种高功率应用。首先，其漏源电压可达100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压开关电路。其次，该器件的漏极电流最大可达8A，能够在较高负载条件下稳定工作。此外，导通电阻RDS(on)的典型值为0.3Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　JX2N3384的栅极驱动电压范围为±20V，具有较高的栅极耐压能力，避免因过高的驱动电压而导致栅极击穿。同时，该MOSFET具备良好的热稳定性，其最大功耗为50W，并采用TO-220封装，有利于散热，适用于需要较高功率密度的设计。
　　该器件的开关速度快，适合用于PWM控制、DC-DC转换器和电机驱动等高频应用。此外，其高可靠性和宽工作温度范围使其在工业控制、电源适配器、UPS系统以及自动化设备中得到了广泛应用。

JX2N3384常用于各种电源管理电路，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动器和电池充电器等。此外，该器件在电机控制和继电器驱动电路中也具有良好的表现。由于其高耐压和高电流能力，JX2N3384还可用于逆变器、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率开关电路。在消费类电子产品中，它也常见于高功率音频放大器和电源调节模块。

2N3384, IRF540, FQP8N60, 2SK2646