类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：1.4A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：约3.5Ω（典型值）
　　功耗（PD）：30W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、TO-92（具体视厂商而定）

JX2N2484具有多项优良特性，适用于多种电子应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在导通状态下损耗较小，从而提高了整体系统的效率。该特性对于功率放大器和开关电源设计尤为重要。
　　其次，JX2N2484具备较高的漏源电压（VDS）能力，可达60V，适用于多种中高压应用场景。其较高的栅源电压容限（±20V）也增强了器件在复杂电路中的稳定性，防止因栅极电压波动而导致的损坏。
　　此外，该MOSFET具有良好的热稳定性，能够在较高温度下正常工作，适合在高功率密度设计中使用。其封装形式（如TO-220）也便于安装散热片，以进一步提高热管理性能。
　　JX2N2484的高开关速度使其适用于高频开关电路，如DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等。这种快速响应能力有助于减少开关损耗，提高系统效率。
　　总体而言，JX2N2484以其良好的电气性能、可靠性和封装灵活性，成为许多电源管理和功率控制电路中的理想选择。

JX2N2484主要用于电源管理和功率控制领域。其典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机驱动器、负载开关和电池管理系统等。
　　在开关电源中，JX2N2484可用于高频开关电路，实现高效的能量转换。由于其低导通电阻和高开关速度，能够有效降低开关损耗，提高电源效率。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET常用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，作为主开关器件控制能量传输。其60V的漏源电压容限使其适用于多种电压级别的转换应用。
　　此外，JX2N2484也适用于LED照明驱动电路，用于控制LED的开关和调光。其快速响应能力有助于实现精确的亮度调节和节能控制。
　　在电机控制和电池管理系统中，JX2N2484可用作负载开关或保护开关，实现电流的通断控制，防止过流和短路情况下的损坏。
　　由于其良好的热稳定性和封装形式，JX2N2484也适用于需要较高可靠性的工业控制系统和自动化设备。

2N2484、IRFZ44N、2N6756、BUZ11、FDPF10N20