JX2N2060 时间：2025/9/3 5:51:02 阅读：25

JX2N2060 是一款由 JX（可能为某个品牌或制造商的缩写）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、开关电路以及功率放大器等领域。这款器件设计用于高效能、低导通电阻和快速开关操作，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：60A
　　最大漏-源电压（VDS）：200V
　　导通电阻（RDS(on)）：通常小于0.25Ω（具体值视温度和测试条件而定）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：2V ~ 4V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-220、TO-263（D2PAK）或其他高功率封装形式

特性

JX2N2060 MOSFET具有优异的热稳定性和高电流承载能力，能够在高电压和大电流条件下稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频开关应用。其结构设计优化了热阻，提高了器件的可靠性，适用于各种恶劣工作环境。该MOSFET还具备良好的抗过载能力和短路保护能力，适用于对稳定性和安全性要求较高的系统设计。