类型：双极型晶体管（BJT）阵列
　　晶体管数量：2个独立晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：典型值为300 @ IC=2mA
　　噪声系数：0.5dB @ 1kHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOP-8 或 DIP-8

JX2N1712A 是一款具有卓越性能的双极型晶体管阵列芯片，其主要特性包括低噪声、高增益和良好的温度稳定性。该器件的两个晶体管采用匹配设计，确保了在差分放大电路中的一致性和对称性，降低了信号失真。
　　JX2N1712A 的噪声系数仅为0.5dB，在1kHz频率下表现出色，非常适合用于高灵敏度音频放大器和前置放大器，能够有效提升信噪比，确保信号的纯净性。
　　该器件的工作电压范围较宽，支持高达30V的集电极-发射极电压，使其适用于多种电源配置的电路设计。最大集电极电流为100mA，能够驱动中等功率的负载，适用于多种模拟信号处理场景。
　　此外，JX2N1712A 的增益带宽积达到100MHz，具备良好的高频响应特性，可在较宽的频率范围内保持稳定的放大性能。其电流增益（hFE）典型值为300，在IC=2mA时表现出优异的线性度，适用于高精度信号放大和处理。
　　该芯片的封装形式包括SOP-8和DIP-8，便于在不同类型的PCB布局中使用，满足从消费电子到工业控制等多种应用场景的需求。

JX2N1712A 主要应用于高保真音频放大器、前置放大器、差分放大电路、信号调理模块、传感器接口电路以及精密模拟信号处理系统。

JX2N1712B, JX2N1713A, JX2N1714A