时间：2025/9/2 18:17:15
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JX2N1150 是一款由国产厂商推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等场合。该器件具有低导通电阻、高耐压、高电流承载能力等优点，适用于中高功率应用。该MOSFET采用TO-220或TO-252等常见封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：8A（在25℃）
导通电阻(Rds(on))：≤0.45Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：80W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-220 / TO-252
JX2N1150 具备多项优良特性，使其适用于多种功率电子系统。首先，其最大漏源电压为100V，能够承受较高的电压应力，适用于各种开关电源和DC-DC转换器设计。其次，其导通电阻在Vgs=10V时低于0.45Ω，有效降低导通损耗，提高系统效率。
此外，该器件的连续漏极电流为8A，在适当的散热条件下可以支持更高的负载能力，满足中高功率应用需求。JX2N1150还具备良好的热稳定性和抗冲击能力，能在复杂工作环境下保持稳定性能。其封装形式通常为TO-220或TO-252，便于安装和散热，适用于多种电路布局。
JX2N1150 主要应用于各类功率电子设备中，包括但不限于以下领域：开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、LED驱动电路、电机驱动模块、电池管理系统（BMS）、逆变器与UPS系统、工业自动化设备以及消费类电子产品中的功率控制部分。其高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性，使其在需要高效、高可靠性的电路中表现出色。
IRF540N, 2N6782, FQP8N10L, STP8NK10Z
