时间：2025/6/19 7:04:37
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JWK212C6475MDHT是一款高性能的功率MOSFET芯片，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高效率和良好的热性能等特性，能够在高电流和高压条件下稳定运行。
该型号属于增强型N沟道MOSFET，其设计优化了动态特性和静态特性，使其适用于各种工业及消费类电子设备中的功率管理场景。
最大漏源电压：75V
连续漏极电流：30A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：2200pF
总功耗：150W
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频应用，减少磁性元件体积。
3. 优秀的热稳定性，能够承受较高的结温，确保长期可靠性。
4. 内置反向恢复二极管，有效防止反向电流对电路造成损害。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 良好的雪崩能量吸收能力，增强器件在异常情况下的保护性能。
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器的核心功率开关。
3. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动。
4. 太阳能逆变器及其他可再生能源相关产品中的功率控制模块。
5. 汽车电子系统中的负载开关和保护电路。
6. LED驱动器以及其他需要高效功率转换的应用场景。
IRFZ44N
STP30NF06L
FDP5500
AO3400
